丽晶美能（北京）电子技术有限公司
功率半导体芯片研发 + 器件生产
01 公司简介
丽晶美能（北京）电子技术有限公司是一家专注于功率半导体芯片研发和器件生产的高科技公司，在江苏、河南、广东等多地设有分公司和办事处。公司拥有国际一流的核心技术团队，具备世界顶尖水平的功率芯片设计和工艺开发能力，并拥有完整的功率模块生产测试基地。
目前，公司已研发完成并量产的有IGBT、FRD、MOSFET等系列芯片和模块产品，以及新型碳化硅功率芯片产品，性能指标和可靠性均达到国际先进水平。公司产品在工业控制领域、电动汽车、新能源发电、白色家电等众多领域得到广泛应用。
丽晶美能与国内多家顶级科研院所及高校建立了战略合作关系，技术能力涵盖研发、工艺、封装、测试等全部流程。公司拥有全部的核心技术和自主知识产权，且拥有多项技术发明专利。
02 项目介绍
丽晶美能专注于新型功率半导体芯片和功率模块研发、生产、销售，产品包括最新型的T-FS型IGBT芯片、MOSFET芯片、碳化硅功率芯片、IGBT功率模块、智能功率模块等。目前公司已完成主要产品研发，性能与国外主流产品持平。
公司具备 “不仿制、原创型” 的芯片结构设计能力；芯片设计能力涵盖IGBT、MOSFET、碳化硅MOSFET等主流功率芯片；是目前 “唯一” 拥有全新自主IGBT芯片结构的中国公司。与此同时，公司具备稀缺的芯片特色制造工艺的研发能力和优化能力；可从芯片设计端和工艺端，最大限度地提高二者的匹配度，并最终体现在芯片性能和产品成本优势上。
封装中心
丽晶美能的封装中心拥有全新的功率模块封装线，设备选用国内外先进的自动化设备，制造高品质的功率模块。公司秉持着 “坚韧 创新 责任 诚信” 的价值观，致力于成为国际一流的功率半导体企业。
测试中心
丽晶美能研发测试中心的测试团队由国内外知名测试专家组成，具有雄厚的技术力量和多年的开发经验，研发技术涉及高端集成电路测试、半导体分立器件测试、各种客户产品定制测试以及可靠性测试等领域。独有的系统结构技术、大功率测试技术和小电流测试技术已经达到国际先进水平，成功开发了分立功率器件动静态测试设备。
可测器件（Si基IGBT,MOS,FRD,SIC MOS,JBS等）种类多且参数齐全、测试精度高、速度快、保护性强、故障率低、软件丰富、操作使用方便等优势。
目前测试中心可提供测试技术咨询，接受委托产品测试以及测试设备销售等业务，可保证长期向客户提供优质高效、周到细致的技术咨询和产品技术服务。
03 产品优势
丽晶美能拥有全部核心技术和自主知识产权，拥有多项技术发明专利。公司拥有世界顶尖的外籍专家，汇集了国内一流技术人才，与国内多家顶级科研院所及高校建立战略合作关系，技术能力涵盖研发、工艺、封装、测试等全部流程。公司发展得到政府大力支持，正联合投资3000余万元建设生产线。
过去5年，公司一直持续致力于自主创新的新型芯片结构和与之配套的新型特色制造工艺研发（已申请国内和国外的发明专利）：
• 平面栅-非穿透型IGBT芯片，性能优于IR公司对标产品（功耗降低5%左右）；
• 沟槽栅-场终止型IGBT芯片产品已完成研发，核心性能优于英飞凌对标产品 （功耗降低10%，短路电流能力更好），并在功率密度、产品成本方面将持续提升优势；
• 第一代的中压大电流MOSFET芯片产品已完成研发，性能和IR公司主流产品持平，并有成本优势；
• 公司具有碳化硅MOSFET芯片的设计和工艺技术储备，可随时进入芯片试制过程，建立未来的产业竞争力。
功率半导体芯片和器件是各类电气化装备，对电能进行控制和转换（变压、变流、变频等）的 “CPU”，是电气化装备正常工作、高效节能的核心元器件。
芯片产品命名
模块产品命名规则
分立器件产品命名规则
